Log in to your account here or sign up as a customer here.
AORUS Gen4 SSD 7000E 1TB M.2 PCI Express 4.0 x4 (NVMe)
AORUS Gen4 7000E - SSD - 1 TB - intern - M.2 2280 - PCIe 4.0 x4 (NVMe)
GIGABYTE AORUS Gen4 7000E er designet til at forbedre dataydelsen med sin interne datahastighed på 7100 MBps. Dette interne solid state-drev har en kompakt M.2 2280-formfaktor, der er velegnet til en række forskellige applikationer. Det understøtter teknologier som NVM Express (NVMe) 1.4, hvilket sikrer effektive dataoverførselshastigheder og pålidelighed. Med understøttelse af DMA, TRIM og Over Provision forbedrer det den samlede lageroplevelse og balancerer hastighed og udholdenhed. Dette drev er bygget med en 3D quad-level cell (QLC) NAND flash-hukommelse og er konstrueret til høj ydeevne og lang levetid, hvilket gør det til et oplagt valg for gamere og professionelle, der ønsker at maksimere deres systemkapacitet.
-
Product no 1003511086
Model AG470E1TB
Brand
Go to brand's websiteEAN 4719331872090
Weight kg
-
Product information and specifications are guiding only. Without notice, these can be subject to change by the manufacturer. This applies for product images as well.
| Produktbeskrivelse | AORUS Gen4 7000E - SSD - 1 TB - PCIe 4.0 x4 (NVMe) |
| Type | Solid state-drev - intern |
| Kapacitet | 1 TB |
| NAND Flashhukommelses-type | 3D quad-niveaucelle (QLC) |
| Model | M.2 2280 |
| Grænseflade | PCIe 4.0 x4 (NVMe) |
| Egenskaber | NVM Express (NVMe) 1.4, TRIM support, Over Provision, Host Memory Buffer (HMB), DMA understøttet, S.M.A.R.T. |
| Dimensioner (B x D x H) | 22 mm x 80 mm x 2.3 mm |
| Producentgaranti | 5 års garanti |
Høj hastighed
Med en intern datahastighed på 7100 MBps er GIGABYTE AORUS Gen4 7000E designet til hurtig dataoverførsel, hvilket forbedrer den samlede effektivitet i forskellige applikationer.
Kompakt design
M.2 2280-formfaktoren muliggør nem installation i kompatible enheder og tilbyder en pladsbesparende løsning uden at gå på kompromis med ydeevnen.
Avanceret datastyring
Med understøttelse af NVM Express (NVMe) 1.4 sammen med DMA og TRIM optimerer dette drev datastyringen og forlænger dets levetid.
Pålidelig holdbarhed
Med en gennemsnitlig tid mellem fejl (MTBF) på 1.600.000 timer kan brugerne stole på, at dette drev leverer ensartet ydeevne over længere perioder.
Effektiv lagringsteknologi
Dette solid state-drev bruger 3D quad-level cell (QLC) NAND-flashhukommelse og balancerer ydeevne og kapacitet, hvilket gør det velegnet til en række forskellige arbejdsopgaver.